Sentaurus TCAD를 활용한 3D NAND Flash Memory 동작 분석
저자 신형철
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출판사 이페이지
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출간일 2025.08.13
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가격 29,000
책소개
현대 반도체 기술의 중심에는 NAND Flash 메모리가 자리하고 있습니다. 고성능,
대용량, 저전력 솔루션에 대한 수요가 증가하면서 NAND Flash는 메모리 시장의 핵
심 기술로 자리 잡았으며, 그 구조와 동작 원리를 심층적으로 이해하고 시뮬레이션하
는 능력이 그 어느 때보다 중요해졌습니다. 본 책은 이러한 필요성을 충족시키기 위
해, 초급 Sentaurus TCAD 시뮬레이션 가이드에서 다룬 기초 내용을 바탕으로
NAND Flash 기술에 중점을 두어 심화된 시뮬레이션 방법론과 응용 사례를 다루고
자 합니다.
Sentaurus TCAD는 반도체 소자의 물리적 동작과 특성을 시뮬레이션할 수 있는
강력한 도구로, 특히 NAND Flash의 3D 구조와 복잡한 동작을 분석하는 데 매우
효과적입니다. 초급 책에서는 기본적인 도구 사용법과 단순한 소자 구조에 대한 시뮬
레이션을 다루었다면, 본 책에서는 NAND Flash를 중심으로 한 고급 기술과 실제 연
구 사례를 소개합니다. 특히, 3D NAND Flash 구조의 동작 원리, 물리적 모델링,
그리고 최신 기술 트렌드에 기반한 심화 시뮬레이션 기법을 통해 독자 여러분이
NAND Flash 시뮬레이션의 전문성을 갖출 수 있도록 돕고자 합니다.
저자는 NAND Flash 시뮬레이션과 관련된 다년간의 연구 및 교육 경험을 바탕으
로, 독자들이 Sentaurus TCAD를 활용해 보다 복잡한 구조와 동작을 이해하고, 이
를 통해 실질적인 연구 및 개발에 기여할 수 있는 역량을 갖추도록 안내합니다. 특히,
NAND Flash의 동작 특성을 시뮬레이션하는 데 필요한 심화 기술과 더불어, 산업 현
장에서 발생할 수 있는 다양한 문제를 해결할 수 있는 실질적인 통찰을 제공하고자
합니다.
이 책은 NAND Flash 기술에 초점을 맞추고 있으나, 이를 통해 습득한 지식과 기
술은 다른 반도체 소자에도 폭넓게 적용할 수 있을 것입니다. 독자 여러분이 본 책을
통해 NAND Flash 시뮬레이션에 대한 이해를 심화하고, 더 나아가 반도체 기술 전반
의 발전에 기여할 수 있기를 기대합니다.
끝으로 본 책의 집필 과정에서 많은 도움을 , 주신 분들께 감사의 말씀을 전합니다.
특히, NAND Flash 시뮬레이션의 실제 사례와 고급 기술을 검토하고 개선하는 데 큰
도움을 준 서울대학교 반도체소자 연구실의 재학생들에게 특별히 감사를 드립니다.
본 책이 독자 여러분의 연구와 개발에 있어 소중한 참고자료가 되기를 바라며,
Sentaurus TCAD를 활용한 NAND Flash 시뮬레이션 세계로 여러분을 안내할 수
있기를 희망합니다.
작가소개
신형철
서울대학교 전기정보공학부 교수로 서울대학교 , 전자공학과에서 학사 및 석사 학위
를 취득하고 미국 캘리포니아대학교 버클리 캠퍼스에서 박사학위를 취득했다. 모토롤
라 및 퀄컴에서 연구원으로 근무했으며, KAIST에서 교수를 역임했다. 저서(공저)로는
⌜NANOCAD와 함께 하는 반도체 소자⌟(대영사, 2005), ⌜현대반도체소자공학⌟
(한빛아카데미, 2013), ⌜3차원 낸드 플래시 메모리의 동작 및 신뢰성⌟(이페이지,
2024), ⌜반도체 소자 연습문제 및 풀이⌟(이페이지, 2024), 그리고 ⌜반도체 소자
TCAD 시뮬레이션 입문 : 초급자를 위한 Sentaurus TCAD 사용법⌟(이페이지,
2024) 등이 있다. 2023년 인테그라 반도체를 창업 했으며 3차원 낸드 플래시 메모
리의 문턱전압 분포 시뮬레이터 (Integra-NANDSim) 개발, 모델링 & 컨설팅 서비
스, 반도체 교육 등 대표이사로서 여러 방면에서 활발히 활동 중이다.
저자는 반도체 기술의 발전과 혁신에 꾸준히 기여해 왔으며, 특히 Sentaurus
TCAD를 활용한 반도체 소자 시뮬레이션 분야에서 높은 전문성을 바탕으로 학문적
성과를 쌓아가고 있다. 그는 다양한 국제 학술지에 논문을 게재하고, 국제 학회에서
연구 성과를 발표하며 반도체 기술 발전에 중요한 역할을 했다. 앞으로도 Sentaurus
TCAD를 활용한 반도체 소자 기술의 시뮬레이션과 분석 방법을 더욱 심화 연구하여,
차세대 반도체 기술의 혁신을 선도하고자 한다. 이를 통해 반도체 기술의 발전을 촉
진하고, 대한민국이 반도체 분야에서 세계적인 리더로 자리매김하는 데 기여할 계획이
다.
목차
Chapter. 0
3D NAND Flash Memory의 Program 동작 시뮬레이션
Chapter. 1
3D NAND Flash Memory의 Erase 동작 시뮬레이션
Chapter. 2
3D NAND Flash Memory의 Poly-Si Channel 구현 및
Read 동작 시뮬레이션
Chapter. 3
3D NAND Flash Memory의 3차원 구조 제작 및
Random Telegraph Noise 특성 시뮬레이션
Chapter. 4
3D NAND Flash Memory의 Read Disturb 특성 시뮬레이션
Chapter. 5
3D NAND Flash Memory의 Z-Interference 특성 시뮬레이션
Chapter. 6
3D NAND Flash Memory의 Retention 특성 시뮬레이션
- Detrapping Failure
Chapter. 7
3D NAND Flash Memory의 Retention 특성 시뮬레이션
- Lateral Migration
출판사 서평
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